第658章 他们用一堆破烂创造了奇迹（1/2）

罗斯塔姆教授长长地舒了一口气，靠在椅背上，闭上了眼睛。

嘴角却难以抑制地向上弯起，那是一种解决了最艰深数学物理问题后，纯粹而满足的笑容。

祁同伟缓缓站起身。

他没有流泪，但眼眶微微发红，胸腔剧烈起伏着。

他走到观测窗前，看着下方无尘车间里那些仍在默默忙碌、尚不知结果已出的工程师们的身影。

然后，他转过身，面向控制室内所有激动万分的同仁，深深地、郑重地鞠了一躬。

“谢谢大家。辛苦了。”

直起身，他的目光已恢复冷静，但深处燃烧着更加炽烈的火焰。

“但这只是开始。

立刻封存所有数据、晶圆和样品。

王院士，冯工，罗教授，我们需要一份最详尽、最严谨的技术分析报告，

不仅仅讲成功，更要讲清楚我们是怎么成功的，

每一个技术细节、每一个决策依据、每一份数据支撑。

这份报告，要能经得起最苛刻的专家审阅。”

“另外，”

他顿了顿，语气斩钉截铁，

“启动最高级别保密程序。

‘破晓’行动的一切成果，在得到进一步指示前，仅限于在场核心人员知晓。

对外，一切如常。”

他比任何人都清楚，这35%的良品率，这颗小小的1Mbit SRAM芯片，其意义远不止于技术突破。

它是一枚足以改变战略天平的重磅筹码，是一份需要直送最高决策层的、沉默的惊雷。

1997年1月5日，燕京，西山，某绝密会议室。

厚重的窗帘遮住了冬日的阳光，室内只开着几盏光线柔和的壁灯。

椭圆形的会议桌旁，只坐了七个人。

每一位，都是能在这个国家经济、科技、国防领域一言九鼎的人物。

空气凝重得仿佛能滴出水来。

每个人面前，都放着一份不足二十页、却标注着最高密级的报告摘要，

以及一个用特殊防弹防磁材料制成的密封盒。

盒子里，是两片经过特殊处理、无法逆向工程的芯片样品——来自“汉芯”“破晓”行动的八十纳米SRAM芯片，

以及作为对比，通过特殊渠道获得的、国际上同期（1996年）某公司实验室发布的同类技术节点SRAM样品。

主持会议的是一位面容清癯、目光如渊的老者。

他没有寒暄，直接切入正题：“东西大家都看了，报告也读了。都说说吧。”

一位主管科技工业的领导人首先开口，语气带着难以抑制的激动：

“数据我已经让手下最顶尖的专家反复核验过了，没问题！

我们这颗用‘土法’攒出来的芯片，在核心的速度、功耗指标上，

与英特尔、三星实验室1996年发布的同类技术数据，基本处在同一水平线上！

甚至在访问时间的稳定性和低温工作特性上，还略有优势！”

他指着报告中的一页：

“看这里，他们特别测试了抗辐射性能和宽温域（-55°C 到 125°C）工作能力。

本章未完，点击下一页继续阅读。